ปราก 7 มกราคม 2014 – ซัมซุง ผู้นำด้านเทคโนโลยีและการผลิตหน่วยความจำระดับโลกได้เปิดตัวครั้งแรก 8Gb หน่วยความจำมือถือ DRAM s การใช้พลังงานต่ำ LPDDR4 (อัตราข้อมูลคู่พลังงานต่ำ 4)
"LPDDR4 DRAM เจนเนอเรชั่นใหม่นี้มีส่วนช่วยให้ตลาด DRAM มือถือทั่วโลกเติบโตเร็วขึ้นอย่างมาก ซึ่งในไม่ช้านี้จะมีส่วนแบ่งที่ใหญ่ที่สุดของตลาด DRAM ทั้งหมดYoung-Hyun May รองประธานบริหารฝ่ายธุรกิจและการตลาดแผนกหน่วยความจำของ Samsung Electronics กล่าว -เราจะมุ่งมั่นที่จะก้าวนำหน้าผู้ผลิตรายอื่นอย่างต่อเนื่องและยังคงแนะนำ DRAM มือถือที่ทันสมัยที่สุดต่อไป เพื่อให้ผู้ผลิตทั่วโลกสามารถเปิดตัวอุปกรณ์มือถือใหม่ในกรอบเวลาที่สั้นที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้” ยองฮยอนเมย์กล่าวเสริม
ด้วยคุณสมบัติต่างๆ เช่น ความหนาแน่นของหน่วยความจำที่สูงขึ้น ประสิทธิภาพสูง และประหยัดพลังงาน หน่วยความจำมือถือ Samsung DRAM LPDDR4 จะช่วยให้ผู้ใช้ปลายทางสามารถใช้งานได้ ขั้นสูง แอปพลิเคชันรวดเร็วและราบรื่นยิ่งขึ้น และยังเพลิดเพลินอีกด้วย ความละเอียดที่สูงขึ้น ไม่ชอบ โดยสิ้นเปลืองแบตเตอรี่น้อยลง
กำลังผลิตความทรงจำมือถือ Samsung DRAM LPDDR4 ใหม่ที่มีความจุ 8Gb เทคโนโลยีการผลิต 20 นาโนเมตร และนำเสนอความจุ 1 GB บนชิปตัวเดียว ซึ่งเป็นหน่วยความจำ DRAM ที่มีความหนาแน่นสูงสุดในปัจจุบัน ด้วยชิปสี่ตัว แต่ละชิปมีความจุ 8 Gb เคสเดียวจะให้ LPDDR4 ขนาด 4 GB ซึ่งเป็นระดับประสิทธิภาพสูงสุดที่มีอยู่
นอกจากนี้ LPDDR4 ยังใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำ ลอจิกยุติการสวิงแรงดันไฟฟ้าต่ำ (LVSTL) อินเทอร์เฟซไอ/โอซึ่งเดิมที Samsung ออกแบบมาสำหรับ JEDEC ชิปใหม่มีความเร็วในการถ่ายโอนสูงถึง 3 Mbpsซึ่งเป็นความเร็วสองเท่าของ LPDDR3 DRAM ที่ผลิตในปัจจุบัน อย่างไรก็ตามในขณะเดียวกัน ใช้พลังงานน้อยลงประมาณ 40% ที่แรงดันไฟฟ้า 1,1 V.
ด้วยชิปตัวใหม่นี้ Samsung วางแผนที่จะไม่เพียงมุ่งเน้นไปที่ตลาดมือถือระดับพรีเมี่ยมเท่านั้นรวมถึง สมาร์ทโฟน UHD ด้วยจอแสดงผลขนาดใหญ่แต่ยังเปิดอยู่ แท็บเล็ต a โน้ตบุ๊คบางเฉียบซึ่งมีจอแสดงผลสูงกว่าความละเอียด Full-HD ถึงสี่เท่าและในระดับสูงด้วย ระบบเครือข่ายอันทรงพลัง.
Samsung คือผู้นำด้านการพัฒนาเทคโนโลยี DRAM บนมือถือ และเป็นผู้นำส่วนแบ่งตลาดในด้าน DRAM บนมือถือที่มี LPDDR4 ขนาด 6Gb และ 3Gb บริษัทเริ่มนำเสนอ LPDDR3 (3Gb) ขนาด 6GB ที่บางที่สุดและเล็กที่สุดในเดือนพฤศจิกายน และกำลังเปิดตัว DRAM LPDDR8 ขนาด 4Gb ใหม่ในปี 2014 ชิป DRAM แบบพกพาขนาด 8Gb จะขยายตัวอย่างรวดเร็วในตลาดอุปกรณ์เคลื่อนที่รุ่นต่อไปโดยใช้ชิป DRAM ความจุสูง
