วันนี้ Samsung เริ่มการผลิตโมดูล DDR3 DRAM ใหม่จำนวนมากโดยใช้กระบวนการผลิต 20 นาโนเมตร โมดูลใหม่เหล่านี้มีความจุ 4Gb เช่น 512MB อย่างไรก็ตาม หน่วยความจำที่มีอยู่ของแต่ละโมดูลไม่ใช่คุณสมบัติหลัก ความคืบหน้าอยู่ที่การใช้กระบวนการผลิตใหม่อย่างแม่นยำ ซึ่งส่งผลให้มีการใช้พลังงานลดลงถึง 25% เมื่อเทียบกับกระบวนการ 25 นาโนเมตรแบบเก่า
การย้ายไปใช้เทคโนโลยี 20 นาโนเมตรยังเป็นขั้นตอนสุดท้ายที่แยกบริษัทออกจากการเริ่มการผลิตโมดูลหน่วยความจำโดยใช้กระบวนการ 10 นาโนเมตร เทคโนโลยีที่ใช้ในปัจจุบันสำหรับโมดูลใหม่ยังเป็นเทคโนโลยีที่ล้ำหน้าที่สุดในตลาด และสามารถใช้ได้ไม่เพียงแต่กับคอมพิวเตอร์เท่านั้น แต่ยังรวมถึงอุปกรณ์เคลื่อนที่ด้วย สำหรับคอมพิวเตอร์ นั่นหมายความว่า Samsung สามารถสร้างชิปที่มีขนาดเท่ากันได้ แต่มีหน่วยความจำการทำงานที่ใหญ่กว่ามาก ซัมซุงยังต้องปรับเปลี่ยนเทคโนโลยีที่มีอยู่เพื่อให้สามารถทำให้ชิปมีขนาดเล็กลงในขณะที่ยังคงวิธีการผลิตในปัจจุบันไว้
