Samsung Electronics ประกาศว่าได้เริ่มการผลิตโมดูลหน่วยความจำ DDR4 ที่ทันสมัยที่สุดจำนวนมากด้วยขนาด 8 Gb และได้เริ่มการผลิตโมดูลหน่วยความจำ DDR32 RAM 4 GB แรกที่มีไว้สำหรับเซิร์ฟเวอร์ขององค์กร RAM ใหม่เหล่านี้ผลิตขึ้นโดยใช้กระบวนการผลิต 20 นาโนเมตร ซึ่งเป็นกระบวนการเดียวกับที่ใช้ในการผลิตแม้แต่โปรเซสเซอร์โมบายล์ที่ทันสมัยที่สุดในปัจจุบัน Samsung เคลมว่าโมดูลหน่วยความจำเหล่านี้ตรงตามข้อกำหนดทั้งหมดในด้านประสิทธิภาพสูง ความหนาแน่นสูง และการประหยัดพลังงานในเซิร์ฟเวอร์องค์กรยุคถัดไป
นอกจากนี้ ด้วยโมดูล 8Gb DDR4 ใหม่ Samsung ได้สรุปกลุ่มผลิตภัณฑ์โมดูล DRAM ทั้งหมดที่ผลิตโดยใช้กระบวนการผลิต 20 นาโนเมตร ปัจจุบัน ซีรีส์นี้ประกอบด้วย 6Gb LPDDR3 สำหรับอุปกรณ์เคลื่อนที่และโมดูล 4Gb DDR3 สำหรับพีซี จากนั้น ตามที่กล่าวไว้ข้างต้น Samsung กำลังเริ่มผลิตโมดูลหน่วยความจำ RDIMM ขนาด 32GB ที่มีอัตราการถ่ายโอน 2 Mbps ต่อพิน ซึ่งแสดงถึงประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้น 400% เปอร์เซ็นต์ เมื่อเทียบกับอัตราการถ่ายโอน 29 Mbps ของหน่วยความจำ DDR1 ของเซิร์ฟเวอร์ แต่ความสามารถของเทคโนโลยีนี้ไม่ได้หยุดอยู่ที่ 866 GB และ Samsung ระบุว่าด้วยเทคโนโลยี 3D TSV สามารถพัฒนาโมดูลหน่วยความจำได้สูงสุด 32 GB ข้อดีของโมดูลใหม่นี้ก็คืออัตราการกินไฟที่ลดลงตามที่กล่าวไว้ เนื่องจากชิป DDR3 เหล่านี้ต้องใช้ไฟ 128 โวลต์ ซึ่งปัจจุบันเป็นแรงดันไฟฟ้าที่ต่ำที่สุดที่เป็นไปได้
//
//
*แหล่งที่มา: ซัมซุง
