มาระยะหนึ่งแล้วที่ Samsung พยายามไล่ตามคู่แข่งรายสำคัญในด้านการผลิตเซมิคอนดักเตอร์อย่าง TSMC ยักษ์ใหญ่ของไต้หวัน เมื่อปีที่แล้ว แผนกเซมิคอนดักเตอร์ Samsung Foundry ประกาศว่าจะเริ่มการผลิตชิป 3 นาโนเมตรในช่วงกลางปีนี้ และชิป 2025 นาโนเมตรในปี 2 ขณะนี้ TSMC ได้ประกาศแผนการผลิตชิปขนาด 3 และ 2 นาโนเมตรแล้ว
Fotogalerie
TSMC ได้เปิดเผยว่าจะเริ่มการผลิตชิป 3 นาโนเมตรตัวแรก (โดยใช้เทคโนโลยี N3) จำนวนมากในช่วงครึ่งหลังของปีนี้ ชิปที่สร้างจากกระบวนการ 3 นาโนเมตรใหม่คาดว่าจะเปิดตัวในต้นปีหน้า ยักษ์ใหญ่เซมิคอนดักเตอร์วางแผนที่จะเริ่มการผลิตชิป 2 นาโนเมตรในปี 2025 นอกจากนี้ TSMC จะใช้เทคโนโลยี GAA FET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) สำหรับชิป 2 นาโนเมตร Samsung จะใช้สิ่งนี้กับชิป 3 นาโนเมตรซึ่งจะเริ่มผลิตในปลายปีนี้ เทคโนโลยีนี้คาดว่าจะนำมาซึ่งการปรับปรุงประสิทธิภาพการใช้พลังงานอย่างมีนัยสำคัญ
คุณอาจจะสนใจ
กระบวนการผลิตขั้นสูงของ TSMC สามารถนำไปใช้โดยผู้เล่นเทคโนโลยีรายใหญ่ เช่น Apple, AMD, Nvidia หรือ MediaTek อย่างไรก็ตาม บางคนสามารถใช้โรงหล่อของ Samsung เพื่อผลิตชิปบางส่วนได้
