ปิดโฆษณา

20nm-4Gb-DDR3-03Samsung เป็นเจ้าแรกในบางสิ่งบางอย่างอีกครั้ง ครั้งนี้บริษัทเกาหลีใต้ประกาศว่าสามารถสร้าง RAM ที่เร็วที่สุดในโลกได้ หน่วยความจำประเภท DDR5 ใช้อินเทอร์เฟซ HBM2 และมีความเร็วการถ่ายโอนสูงถึง 256 GB/s ซึ่งทำให้เร็วกว่าโมดูล DDR7 รุ่นก่อนหน้าที่ใช้ในกราฟิกการ์ดถึง 5 เท่า บริษัทประกาศว่าจะมอบหน่วยความจำ DDR4 ความเร็วสูงสุด 5GB ให้กับผู้ผลิตเซิร์ฟเวอร์องค์กร รวมถึงผู้ผลิตกราฟิกการ์ด, nVidia และ AMD

โมดูลหน่วยความจำสำหรับกราฟิกการ์ดจะได้รับการผลิตโดยใช้กระบวนการผลิต 20 นาโนเมตร ซึ่งจะทำให้ใช้หน่วยความจำน้อยกว่าปัจจุบันในขณะที่ให้ประสิทธิภาพที่สูงขึ้น ปัจจุบันมีการผลิตชิป 4GB ที่ประกอบด้วยสี่เลเยอร์พร้อมคอร์ 8 กิกะบิต แต่ในไม่ช้าพวกเขาจะเข้าสู่การผลิตหน่วยความจำ 8GB ที่มีแปดเลเยอร์

20nm 8Gb DDR4 ซัมซุง

 

*แหล่งที่มา: SamMobile

หัวข้อ: , ,

วันนี้มีคนอ่านมากที่สุด

.